技術(shù)
為滿足集成電路對大尺寸硅片的高品質(zhì)要求，奕斯偉材料采用先進的工藝及量測設(shè)備，通過對量產(chǎn)工藝的不斷優(yōu)化提升，確保產(chǎn)品品質(zhì)。目前在單晶缺陷控制、幾何形貌、顆粒及金屬管控等方面均已達到國際先進水平。
奕斯偉材料搭建了涵蓋缺陷分析、雜質(zhì)分析和硅片性質(zhì)分析的技術(shù)研發(fā)平臺，通過基礎(chǔ)研究體系的建設(shè)，加深對硅片特性及客戶端應(yīng)用的理解，針對性開展相關(guān)品質(zhì)參數(shù)的工藝開發(fā)和改善工作，提升硅片品質(zhì)。
奕斯偉材料組建了模擬、設(shè)計和工藝開發(fā)的晶體生長研發(fā)團隊。一方面，優(yōu)化特性參數(shù)的徑向/軸向均勻性，完善小尺寸缺陷的評價技術(shù)，提升無缺陷晶體的品質(zhì)。另一方面，針對細分領(lǐng)域產(chǎn)品特點，開發(fā)多樣化的長晶技術(shù)，以滿足不同產(chǎn)品的需求。
奕斯偉材料建立了各工序間參數(shù)相互影響、相互制約的研究體系，通過對工藝流程及工序配比的優(yōu)化，持續(xù)提升硅片的平坦度和納米形貌，探索更優(yōu)的硅片加工工藝流程。
奕斯偉材料分析研究影響外延膜品質(zhì)的核心部件，通過對核心部件的自主設(shè)計與去金屬化優(yōu)化，結(jié)合對外延爐氣流調(diào)控方式的改善，不斷提升外延片的幾何形貌、金屬水平和表面顆粒。
拉晶工序是指通過12英寸晶體生長，將高純多晶硅原料通過直拉法，外加磁場抑制熔體對流并控制雜質(zhì)，生長出缺陷可控、雜質(zhì)含量低、電阻率均勻分布的高品質(zhì)12英寸單晶硅棒。晶棒生長完成后，會將其滾磨成直徑一致的圓柱，再將晶棒截斷去頭尾，切割成一定長度的硅塊，便于后續(xù)加工。
成型工序是將拉晶得到的硅錠加工成表面具備一定平坦度，厚度約為800微米的硅片。為滿足集成電路制程對硅片表面的要求，硅錠需經(jīng)過多線切割、倒角、雙面研磨等多道表面加工工序，并在各道工序后進行清洗，以去除加工工序在硅片表面造成的機械損傷和沾污。
拋光工序是確保硅片表面平坦度和納米形貌的核心工序。為了滿足集成電路的制程要求，拋光采用納米尺寸的漿料對硅片表面和邊緣進行化學(xué)、物理加工，通過多道拋光工序和不同尺寸的漿料進行精細加工，得到納米級的表面與邊緣形貌。
為符合集成電路制程對硅片表面金屬、顆粒、有機物的高品質(zhì)要求，清洗工序?qū)伖夤杵谋砻骖w粒進行有效去除，確保達到產(chǎn)品品質(zhì)要求。采用檢查極限為ppt（萬億分之一）的表面金屬檢測儀和能檢單位為20納米以下的顆粒計數(shù)器，對硅片表面品質(zhì)進行管控，確保優(yōu)秀出貨水準。
外延工序是以拋光片作為襯底，采用化學(xué)氣相沉積法（CVD），在硅片表面沉積一層單晶外延層的過程。該工藝采用先進的CVD設(shè)備，能夠有效控制外延層的電阻率、厚度均勻性、表面品質(zhì)與邊緣形貌。
奕斯偉材料堅持知識產(chǎn)權(quán)創(chuàng)新及保護，持續(xù)優(yōu)化專利布局。截至2024年9月，已在6個國家和地區(qū)、29個技術(shù)方向申請1500余件專利，并于2022年榮獲“國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)”認證。
